[미디어유스 라인뉴스팀] 이창양 산업통상자원부 장관은 25일 삼성전자 화성캠퍼스에서 개최된 3나노 파운드리 양산 출하식에 참석했다.

금번 3나노 반도체 양산 성과는 삼성전자가 TSMC, 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 세계 최초로 달성한 것으로, 기존의 반도체 기술을 혁신적으로 개선한 GAA* 구조를 활용했다는 점에서 기술적 의의가 높다.

* Gate-All-Around : 스위치(게이트)와 통로(채널) 4개면 접촉 → 기존 최신공정인 Fin 구조(3개면 접촉) 대비 전력 50%↓, 성능 30%↑, 면적 35%↓

아울러, 국내 소부장 기업과 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재, 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발한 점을 고려하면 한국 반도체 산업계가 공동으로 이룬 성과라고 평가된다.

첨단 반도체 제조시설은 국가 안보자산이기 때문에, 이번 3나노 반도체 양산 성공은 경제안보 차원에서도 의미가 크다.

앞으로 메모리반도체 생산기지이자, 첨단 시스템반도체 생산기지로서 글로벌 반도체 공급망에 기여하는 대한민국의 위상이 한층 높아질 것으로 기대된다.

이창양 산업부 장관은 삼성전자 임직원들과 기술 개발에 힘을 보탠 반도체 산업계의 노력에 감사를 표하고, 앞으로도 3나노 공정이 높은 수율을 확보하여 안정적으로 안착하기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아줄 것을 당부했다.

정부도 지난주 발표한 “반도체 초강대국 달성전략”을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것이라 강조하며, 이러한 노력이 미세공정 경쟁에서 앞서가기 위한 기술 경쟁력 제고와 전문인력 양성에 기여할 것으로 기대한다고 밝혔다.

아울러, 3나노 파운드리 시장을 안정적으로 확보하기 위해서는 첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요한만큼, 반도체 미래 수요를 견인할 디스플레이, 배터리, 미래 모빌리티, 로봇, 바이오 등 “반도체 플러스 산업”에 대한 경쟁력 강화방안을 순차적으로 수립하여 적극 이행하겠다고 강조했다.